X-FAB und Partner demonstrieren InP-on-Silicon-Designfluss für optische Transceiver der nächsten Generation

X-FAB Silicon Foundries SE, die führende Analog/Mixed-Signal- und Spezialitäten-Foundry, SMART Photonics, die führende Indiumphosphid (InP)-Foundry für integrierte Photonik, undEpiphany Design, ein auf hybride und heterogene Photonik spezialisiertes Fabless Photonic Design House, arbeiten gemeinsam an der Entwicklung einer neuen heterogenen Photonik-Integrationsplattform, die die Stärken von InP- und Silicon-on-Insulator (SOI)-Technologien kombiniert und Multi-Tera-Bit-Datenraten für Datenübertragungs- und Telekommunikationsanwendungen ermöglicht.

Durch die gemeinsame Optimierung von SOI-, InP- und Micro-Transfer-Printing (MTP)-Technologien zielt die neue Plattform darauf ab, die Kundenanforderungen nach hohen Datenraten und Energieeffizienz bei der Herstellung optischer Transceiver in hohen Stückzahlen zu erfüllen. Darüber hinaus ermöglicht sie neue Funktionalitäten und eine verbesserte Systemleistung bei gleichzeitiger Senkung der Integrationskosten durch geringere Anforderungen an das Photonik-Packaging. Die MTP-Technologie, bei der X-Celeprint Pionierarbeit geleistet hat, bietet den System- und Produktdesignern einen großen Freiheitsgrad, indem sie eine flexible Integration von Chiplets in das Produktdesign ermöglicht.

Die Zusammenarbeit hat zu bedeutenden Fortschritten geführt, die in der Entwicklung eines Design-Flows und eines PDKs resultieren, das den Entwurf von Photonik-Schaltungen mit integrierten InP-Chips auf einer SOI-Plattform ermöglicht. Dieser Entwurfsablauf ist in Lucedas EDA-Tool IPKISS implementiert. Das technische Know-how und die Unterstützung von Luceda ermöglichten das Design des Demonstrators.
Im Rahmen dieser Entwicklung hat Epiphany Design - ein X-FAB-Innovations- und XCHAIN-Partner - den neuen heterogenen InP-on-SOI-Designflow erfolgreich mit einem optischen Transceiver-Demonstrator demonstriert. Diese Zusammenarbeit wird nächste Woche auf der 50. Optical Fiber Communication Conference (OFC) in San Francisco vorgestellt werden.

Jörn Epping, CEO von Epiphany Design, kommentiert: "Indem wir die Integrationsdichte von Silizium mit der hohen Leistung von InP-Aktivitäten zusammenbringen, eröffnen wir neue Möglichkeiten für bahnbrechende Innovationen in der Telekommunikation, der Datenkommunikation und darüber hinaus. Dieser Ansatz bietet den PIC-Designern mehr Flexibilität und einen klaren Weg zu skalierbaren, leistungsstarken PIC-basierten Lösungen."

Diese Zusammenarbeit baut auf dem EU-Förderprojekt PhotonixFAB auf, das die Entwicklung industrieller Pilotlinien für Silizium-Photonik-SOI, Mikro-Transferdruck-fertige InP-Chiplets und MTP von InP-Chiplets auf SOI- und SiN-Photonik-Wafern unterstützt.

Der vollständige Designflow wird im ersten Quartal 2026 für den frühen Zugang verfügbar sein. Ziel ist es, bis Mitte 2026 den industriellen Prototypenbau bei führenden Kunden zu unterstützen und 2027 die Produktion hochzufahren.

 Link zur vollständigen Pressemitteilung: X-FAB, SMART Photonics und Epiphany Design demonstrieren auf der OFC den InP-on-Silicon-Designfluss für optische Transceiver der nächsten Generation: X-FAB